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        安規電容器諧振頻率、ESR與阻抗頻率特性

        文章出處:東莞市瓷谷電子科技有限公司 所屬分類: 知識分享

            任何一個安規電容器都有它自身的諧振頻率,即自身電容量與寄生電感形成串聯諧振的頻率。在相同封裝時,寄生電感基本相同,自然,電容量越大諧振頻率越低,而且封裝尺寸越小,諧振頻率越高。

            第一類安規陶瓷介質電容器的ESR隨頻率而上升,隨著頻率的降低,ESR特性逐漸平緩。

            第一類介質如C0G介質電容器的ESR隨電容量的增加而減小,其原因是明顯的,隨著電容量的增加極板的面積也增加,在相同封裝條件下只能采取增加極板的層數獲得,由于每層極板的ESR基本相同,并聯的極板數增加,ESR必然減小。

            特性可以分為三部分:容性部分,諧振部分,感性部分。容性部分時電容器表現電容器特性,符合:Xc=(1π·C)-1,阻抗隨頻率的上升而下降,諧振部分時電容器寄生電感的感抗隨頻率增大到接近容抗的程度,由于感抗與容抗的符號正相反,因此,在這一頻段電容器的司機阻抗小于電容器的容抗,當感抗等于容抗時,即諧振狀態,容抗被感抗抵消,僅剩ESR。隨著頻率的進一步上升,感抗開始大于容抗,電容器開始逐漸表現為電感特性。

            第二類介質電容器的阻抗頻率特性與第一類介質電容器相似,特性也可以分為三部分:容性部分,諧振部分,感性部分。特性曲線的形狀也基本相同。與第一類介質電容器不同的是,一般第二類介質電容器的電容量遠比第一類電容器的電容量大,特性曲線所在的頻段相對第一類介質電容器低。如電容量為10nF電容器的諧振頻率約為50MHz,電容量為100nF電容器的諧振頻率下降到不到20MHz,電容量為10μF電容器的諧振頻率則降低到2MHz。

            與第一類介質電容器相似,隨著電容量的增加,ESR也隨之降低。不同的事ESR的頻率特性有所變化,以X5R介質的50V/10μF電容器為例,低頻率的增加而下降,大約到100kHz,在100kHz~1MHz范圍的ESR降低到最低值,1MHz以上的頻段ESR則隨頻率的上升而增加。

        此文關鍵字:安規電容器諧振頻率特性,安規電容器阻抗頻率特性,電容器

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